![IPW60R099P7XKSA1 IPW60R099P7XKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/29/581568/smn_/manual/600v_p7_to247.jpg_472149771.jpg)
IPW60R099P7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 164.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R099P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 117W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW60R099P7XKSA1 за ціною від 160.83 грн до 382.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW60R099P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R099P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R099P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R099P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R099P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R099P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R099P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R099P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R099P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPW60R099P7XKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
IPW60R099P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |