![IPW60R099CP IPW60R099CP](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_247_3_t.jpg)
IPW60R099CP Infineon Technologies
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 680.6 грн |
10+ | 574.69 грн |
25+ | 453.34 грн |
100+ | 416.09 грн |
240+ | 392.19 грн |
480+ | 367.59 грн |
1200+ | 331.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R099CP Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPW60R099CP
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW60R099CP Код товару: 72969 |
![]() |
товар відсутній
|
||
![]() |
IPW60R099CP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V |
товар відсутній |