IPW60R075CPFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 455.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R075CPFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R075CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPW60R075CPFKSA1 за ціною від 441.6 грн до 598.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R075CPFKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPW60R075CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.068 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPW60R075CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPW60R075CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPW60R075CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPW60R075CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IPW60R075CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IPW60R075CPFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; 313W; PG-TO247-3 Mounting: THT Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Technology: CoolMOS™ CP Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IPW60R075CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IPW60R075CPFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; 313W; PG-TO247-3 Mounting: THT Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Technology: CoolMOS™ CP Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |