![IPW60R070P6 IPW60R070P6](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/9c1aa899e7f11a863decbe8396f2126d045fb190/ipw60r070p6.jpg)
IPW60R070P6 Infineon Technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 571.4 грн |
25+ | 546.85 грн |
50+ | 526.01 грн |
100+ | 490.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R070P6 Infineon Technologies
Description: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 391W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPW60R070P6 за ціною від 284.27 грн до 585.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW60R070P6 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPW60R070P6 | Виробник : Infineon technologies |
![]() |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IPW60R070P6 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V |
товар відсутній |