IPW60R040C7XKSA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPW60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d4c6ece273fe9](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 813.43 грн |
30+ | 634.02 грн |
120+ | 596.73 грн |
510+ | 507.51 грн |
1020+ | 465.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R040C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPW60R040C7XKSA1 за ціною від 479.48 грн до 966.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW60R040C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R040C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R040C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R040C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R040C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPW60R040C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPW60R040C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPW60R040C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPW60R040C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-3 Mounting: THT On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ C7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPW60R040C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-3 Mounting: THT On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ C7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A |
товар відсутній |