![IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/29/581568/smn_/manual/600v_p7_to247.jpg_472149771.jpg)
IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 315.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPW60R037P7XKSA1 за ціною від 308.55 грн до 1003.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V |
на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IPW60R037P7XKSA1 Код товару: 173232 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |