IPW60R037P7XKSA1

IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ipw60r037p7-ds-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+315.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPW60R037P7XKSA1 за ціною від 308.55 грн до 1003.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r037p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+470.07 грн
Мінімальне замовлення: 240
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPW60R037P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bb7bab83ca7 Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+610.52 грн
30+ 469.65 грн
120+ 420.2 грн
510+ 347.95 грн
1020+ 313.15 грн
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r037p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+642.7 грн
25+ 515.7 грн
100+ 462.35 грн
240+ 432.16 грн
480+ 328.66 грн
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r037p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+660.39 грн
25+ 530.19 грн
100+ 475.39 грн
240+ 444.31 грн
480+ 338.05 грн
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW60R037P7_DS_v02_03_EN-3362683.pdf MOSFETs Y
на замовлення 4516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+665.84 грн
25+ 524.58 грн
100+ 407.66 грн
240+ 406.95 грн
480+ 323.31 грн
1200+ 308.55 грн
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r037p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+692.14 грн
25+ 555.37 грн
100+ 497.91 грн
240+ 465.4 грн
480+ 353.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r037p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+704.95 грн
25+ 565.97 грн
100+ 507.47 грн
240+ 474.3 грн
480+ 360.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Виробник : INFINEON 2371114.pdf Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+784.52 грн
5+ 685.96 грн
10+ 586.62 грн
50+ 515.43 грн
100+ 448.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r037p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+829.72 грн
20+ 614.75 грн
50+ 585.62 грн
100+ 563.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipw60r037p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+1003.5 грн
Мінімальне замовлення: 13
IPW60R037P7XKSA1
Код товару: 173232
Infineon-IPW60R037P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bb7bab83ca7 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R037P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R037P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній