IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesOptiMOS™ 3 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 431.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTG111N20NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 108 A, 0.009 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 108A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPTG111N20NM3FDATMA1 за ціною від 293.4 грн до 630.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPTG111N20NM3FDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG111N20NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 108 A, 0.009 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPTG111N20NM3FDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V |
на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPTG111N20NM3FDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 3185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPTG111N20NM3FDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG111N20NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 108 A, 0.009 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPTG111N20NM3FDATMA1 Код товару: 200303 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IPTG111N20NM3FDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 3 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPTG111N20NM3FDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 3 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IPTG111N20NM3FDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IPTG111N20NM3FDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V |
товар відсутній |