Продукція > INFINEON > IPTC054N15NM5ATMA1
IPTC054N15NM5ATMA1

IPTC054N15NM5ATMA1 INFINEON


3811996.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 0.0044 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+379.83 грн
50+ 327.71 грн
100+ 278.77 грн
250+ 263.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTC054N15NM5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPTC054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 0.0044 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 143A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPTC054N15NM5ATMA1 за ціною від 196.1 грн до 525.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPTC054N15NM5ATMA1 IPTC054N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPTC054N15NM5_DataSheet_v02_01_EN-3132359.pdf MOSFETs N
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+482.25 грн
10+ 399.11 грн
100+ 280.75 грн
500+ 249 грн
1000+ 215.85 грн
1800+ 201.74 грн
3600+ 196.1 грн
IPTC054N15NM5ATMA1 IPTC054N15NM5ATMA1 Виробник : INFINEON 3811996.pdf Description: INFINEON - IPTC054N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 0.0044 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+525.43 грн
5+ 452.63 грн
10+ 379.83 грн
50+ 327.71 грн
100+ 278.77 грн
250+ 263.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPTC054N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc054n15nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 17.5A 16-Pin HDSOP EP T/R
товар відсутній
IPTC054N15NM5ATMA1 IPTC054N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc054n15nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 17.5A 16-Pin HDSOP EP T/R
товар відсутній
IPTC054N15NM5ATMA1 IPTC054N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC054N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d2fd3ad65d98 Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 191µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 75 V
товар відсутній
IPTC054N15NM5ATMA1 IPTC054N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC054N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d2fd3ad65d98 Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 191µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 75 V
товар відсутній