![IPTC039N15NM5ATMA1 IPTC039N15NM5ATMA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/8c4becd4fbf16ef0f665c0ff898beecda2400b11/infineon-package-hdsop-16-tolt.jpg)
IPTC039N15NM5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1800+ | 430.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTC039N15NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V.
Інші пропозиції IPTC039N15NM5ATMA1 за ціною від 248.19 грн до 624.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPTC039N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPTC039N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPTC039N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IPTC039N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
IPTC039N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V |
товар відсутній |