IPTC014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 388.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTC014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTC014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 365 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 365A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pins, Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPTC014N10NM5ATMA1 за ціною від 288.36 грн до 839.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPTC014N10NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPTC014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 365 A, 0.0013 ohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 365A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pins Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPTC014N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 365A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V |
на замовлення 722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPTC014N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPTC014N10NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 365 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 365A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pins Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPTC014N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 37A 16-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPTC014N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 37A 16-Pin HDSOP EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IPTC014N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 37A 16-Pin HDSOP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPTC014N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 365A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V |
товар відсутній |