![IPTC012N08NM5ATMA1 IPTC012N08NM5ATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3785/MFG_IAUS300N08S5N012TATMA1.jpg)
IPTC012N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPTC012N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a519df392538](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 396A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1800+ | 305.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTC012N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTC012N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 396 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 396A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPTC012N08NM5ATMA1 за ціною від 283.64 грн до 584.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPTC012N08NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 396A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPTC012N08NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 396A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPTC012N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 396A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V |
на замовлення 4113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPTC012N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPTC012N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
IPTC012N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPTC012N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |