Продукція > INFINEON > IPTC007N06NM5ATMA1
IPTC007N06NM5ATMA1

IPTC007N06NM5ATMA1 INFINEON


4098636.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+359.25 грн
100+ 290.41 грн
500+ 254.23 грн
1000+ 190.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTC007N06NM5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 454A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPTC007N06NM5ATMA1 за ціною від 190.59 грн до 498.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPTC007N06NM5ATMA1 IPTC007N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC007N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018456c4fee309c9 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 30 V
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+434.17 грн
10+ 350.64 грн
100+ 283.65 грн
500+ 236.61 грн
IPTC007N06NM5ATMA1 IPTC007N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPTC007N06NM5_DataSheet_v02_00_EN-3107427.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+470.73 грн
10+ 389.38 грн
25+ 319.54 грн
100+ 274.4 грн
250+ 258.17 грн
500+ 243.36 грн
1000+ 208.8 грн
IPTC007N06NM5ATMA1 IPTC007N06NM5ATMA1 Виробник : INFINEON 4098636.pdf Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+498.52 грн
10+ 359.25 грн
100+ 290.41 грн
500+ 254.23 грн
1000+ 190.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPTC007N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc007n06nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 16-Pin HDSOP EP T/R
товар відсутній
IPTC007N06NM5ATMA1 IPTC007N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC007N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018456c4fee309c9 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 30 V
товар відсутній