на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 356.12 грн |
| 10+ | 294.13 грн |
| 25+ | 241.83 грн |
| 100+ | 207.68 грн |
| 250+ | 195.83 грн |
| 500+ | 183.99 грн |
| 1000+ | 167.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.
Інші пропозиції IPT65R099CFD7XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPT65R099CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 SP005537607 |
товар відсутній |
||
 |
IPT65R099CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
товар відсутній |
|
|
|
IPT65R099CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
товар відсутній |