IPT65R033G7XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R033G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.029 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 804.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT65R033G7XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R033G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.029 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 391W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7 Gold Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IPT65R033G7XTMA1 за ціною від 1091.56 грн до 1500.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT65R033G7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 69A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPT65R033G7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 69A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 28.9A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 400 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IPT65R033G7XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT65R033G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.029 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Gold Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
| IPT65R033G7XTMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
|
|
IPT65R033G7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 69A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товар відсутній |
|||||||
 |
IPT65R033G7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 69A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IPT65R033G7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 69A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 28.9A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||
 |
IPT65R033G7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
товар відсутній |