Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT60T065S7XTMA1

IPT60T065S7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT60T065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b4c5977be7aee Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+206.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT60T065S7XTMA1 Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V.

Інші пропозиції IPT60T065S7XTMA1 за ціною від 198.47 грн до 479.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPT60T065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT60T065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b4c5977be7aee Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+425.02 грн
10+ 343.51 грн
100+ 277.86 грн
500+ 231.78 грн
1000+ 198.47 грн
IPT60T065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT60T065S7_DataSheet_v02_01_EN-3369249.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+479.78 грн
10+ 404.79 грн
25+ 319.54 грн
100+ 294.15 грн
250+ 276.51 грн
500+ 258.88 грн
1000+ 232.78 грн
IPT60T065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT60T065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b4c5977be7aee HIGH POWER_NEW
товар відсутній