IPT60R105CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 312.85 грн |
| 10+ | 252.77 грн |
| 100+ | 204.46 грн |
| 500+ | 170.56 грн |
| 1000+ | 146.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT60R105CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPT60R105CFD7XTMA1 за ціною від 150.95 грн до 339.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT60R105CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT60R105CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPT60R105CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V |
товар відсутній |