IPT60R065S7XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 378.39 грн |
| 100+ | 330.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT60R065S7XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPT60R065S7XTMA1 за ціною від 223.01 грн до 541.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 1679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A On-state resistance: 137mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ S7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 126A Mounting: THT Case: TO220 кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A On-state resistance: 137mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ S7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 126A Mounting: THT Case: TO220 |
товар відсутній |