на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 473.96 грн |
| 10+ | 400.91 грн |
| 25+ | 316.29 грн |
| 100+ | 290.28 грн |
| 250+ | 273.41 грн |
| 500+ | 256.54 грн |
| 1000+ | 230.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 236, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 236, Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IPT60R055CFD7XTMA1 за ціною від 256.58 грн до 883.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT60R055CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOFPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPT60R055CFD7XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 236 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 236 Bauform - Transistor: HSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT60R055CFD7XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 236 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 236 Bauform - Transistor: HSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IPT60R055CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
товар відсутній |
||||||||||||||
| IPT60R055CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
IPT60R055CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V |
товар відсутній |