Технічний опис IPT60R040S7XTMA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 207A, Mounting: THT, On-state resistance: 84mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 245W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™ S7, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 207A, Case: TO220, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 13A, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції IPT60R040S7XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT60R040S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 13A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товар відсутній |
|
 |
IPT60R040S7XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 207A Mounting: THT On-state resistance: 84mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 245W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ S7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 207A Case: TO220 Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|
 |
IPT60R040S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF |
товар відсутній |
|
|
|
IPT60R040S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF |
товар відсутній |
|
|
|
IPT60R040S7XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 207A Mounting: THT On-state resistance: 84mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 245W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ S7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 207A Case: TO220 Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A |
товар відсутній |