IPT111N20NFDATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 7377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 278.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT111N20NFDATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT111N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 96 A, 0.0111 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPT111N20NFDATMA1 за ціною від 271.01 грн до 977.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT111N20NFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOFPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT111N20NFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 96A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT111N20NFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 96A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT111N20NFDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT111N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 96 A, 0.0111 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT111N20NFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V |
на замовлення 3496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT111N20NFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 2813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT111N20NFDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT111N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 96 A, 0.0111 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT111N20NFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 96A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT111N20NFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 96A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товар відсутній |