![IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/12/3/15/43/50/281550/smn_/manual/ipt60r022s7xtma1.jpg)
IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 257.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0017 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPT020N10N3ATMA1 за ціною від 273 грн до 698.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V |
на замовлення 12259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 212A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPT020N10N3ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 212A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |