на замовлення 5829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 485.44 грн |
10+ | 410.61 грн |
25+ | 323.31 грн |
100+ | 297.31 грн |
250+ | 279.74 грн |
500+ | 262.17 грн |
1000+ | 248.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V.
Інші пропозиції IPT017N12NM6ATMA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IPT017N12NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
IPT017N12NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V |
товар відсутній |
|
![]() |
IPT017N12NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V |
товар відсутній |