IPT015N10N5ATMA1

IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies


879479525427159dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4624a75e5f.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+223.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPT015N10N5ATMA1 за ціною від 219.12 грн до 566.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+227.2 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt015n10n5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+296.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt015n10n5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+319.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Виробник : INFINEON 3961671.pdf Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+402.62 грн
50+ 358.62 грн
100+ 316.96 грн
250+ 298.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 22573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+427.45 грн
10+ 352.81 грн
100+ 294.02 грн
500+ 243.47 грн
1000+ 219.12 грн
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT015N10N5_DataSheet_v02_04_EN-3362538.pdf MOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8
на замовлення 13282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+460.19 грн
10+ 388.7 грн
25+ 306.64 грн
100+ 282.25 грн
250+ 264.83 грн
2000+ 225.1 грн
4000+ 222.32 грн
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt015n10n5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+481.32 грн
30+ 407.81 грн
50+ 371.56 грн
100+ 344.7 грн
200+ 307.48 грн
500+ 290.86 грн
Мінімальне замовлення: 26
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt015n10n5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+505.59 грн
10+ 429.59 грн
25+ 390.54 грн
100+ 338.29 грн
250+ 300.61 грн
500+ 259.93 грн
1000+ 234.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt015n10n5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+544.48 грн
27+ 462.63 грн
29+ 420.58 грн
100+ 364.31 грн
250+ 323.73 грн
500+ 279.92 грн
1000+ 252.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Виробник : INFINEON 3961671.pdf Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+566.8 грн
5+ 484.71 грн
10+ 402.62 грн
50+ 358.62 грн
100+ 316.96 грн
250+ 298.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT015N10N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT015N10N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній