Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT007N06NATMA1
IPT007N06NATMA1

IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies

IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+207.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPT007N06NATMA1 за ціною від 187.66 грн до 902.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8730ds_ipt007n06n_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm
на замовлення 12683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+356.38 грн
100+ 308.29 грн
500+ 267.96 грн
1000+ 223.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+382.04 грн
37+ 332.09 грн
100+ 287.2 грн
250+ 273 грн
500+ 226.59 грн
Мінімальне замовлення: 32
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+391.6 грн
10+ 340.4 грн
100+ 294.38 грн
250+ 279.83 грн
500+ 232.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+447.57 грн
10+ 384.27 грн
100+ 320.22 грн
250+ 307.35 грн
500+ 260.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+482 грн
30+ 413.83 грн
100+ 344.86 грн
250+ 330.99 грн
500+ 280.35 грн
Мінімальне замовлення: 26
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT007N06N_DataSheet_v02_03_EN-3362569.pdf MOSFETs N
на замовлення 18761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+482.16 грн
10+ 401.72 грн
25+ 328.94 грн
100+ 282.55 грн
250+ 266.38 грн
500+ 250.92 грн
1000+ 215.07 грн
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm
на замовлення 12683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+504.62 грн
10+ 356.38 грн
100+ 308.29 грн
500+ 267.96 грн
1000+ 223.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 10890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+504.84 грн
10+ 329.02 грн
100+ 239.66 грн
500+ 189.08 грн
1000+ 187.66 грн
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+902.66 грн
19+ 669.05 грн
50+ 623.98 грн
100+ 534.51 грн
200+ 461.98 грн
500+ 369.73 грн
1000+ 368.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPT007N06NATMA1
Код товару: 180783 		IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8730ds_ipt007n06n_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товар відсутній
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товар відсутній
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT007N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 216nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT007N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 216nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній