IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies
![IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 207.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPT007N06NATMA1 за ціною від 187.66 грн до 902.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm |
на замовлення 12683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm |
на замовлення 12683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V |
на замовлення 10890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPT007N06NATMA1 Код товару: 180783 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1200A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 216nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPT007N06NATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1200A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 216nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |