![IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/ee04b7e8d427eaf8145c15dd8ee8231c0d06e1e8/infineon-package-toll-to-leadless-hsof-8.jpg)
IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 161.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: PG-HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPT004N03LATMA1 за ціною від 162.4 грн до 374.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: PG-HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: PG-HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V |
на замовлення 2461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPT004N03LATMA1 Код товару: 161359 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2kA Technology: OptiMOS™ Case: PG-HSOF-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 300A On-state resistance: 0.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPT004N03LATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2kA Technology: OptiMOS™ Case: PG-HSOF-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 300A On-state resistance: 0.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tape |
товар відсутній |