Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPSA70R950CEAKMA1
IPSA70R950CEAKMA1

IPSA70R950CEAKMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPSA70R950CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46257fa4a9c015805c98e8554f2 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-347
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
959+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 959
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPSA70R950CEAKMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3-347, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPSA70R950CEAKMA1 за ціною від 26.51 грн до 26.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPSA70R950CEAKMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPSA70R950CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46257fa4a9c015805c98e8554f2 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R950CEAKMA1 - IPSA70R950 650V AND 700V COOLMOS N-CHAN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
923+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 923
IPSA70R950CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPSA70R950CE-DS-v02_00-EN-1509361.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPSA70R950CEAKMA1 IPSA70R950CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPSA70R950CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46257fa4a9c015805c98e8554f2 Description: MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-347
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності