IPSA70R750P7SAKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1019+ | 20.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPSA70R750P7SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPSA70R750P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34.7W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPSA70R750P7SAKMA1 за ціною від 18.52 грн до 38.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPSA70R750P7SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPSA70R750P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34.7W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPSA70R750P7SAKMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R750P7SAKMA1 - IPSA70R750 650V AND 700V COOLMOS N-CHAN tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
IPSA70R750P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IPSA70R750P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPSA70R750P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
товар відсутній |