Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPSA70R600P7SAKMA1
IPSA70R600P7SAKMA1

IPSA70R600P7SAKMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPSA70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d9c5ab11389 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
891+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 891
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPSA70R600P7SAKMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 43.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 400 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPSA70R600P7SAKMA1 за ціною від 21.01 грн до 68.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPSA70R600P7SAKMA1 IPSA70R600P7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPSA70R600P7S_DS_v02_01_EN-3362712.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 796-805 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.38 грн
10+ 60.16 грн
100+ 35.65 грн
500+ 29.78 грн
1000+ 25.36 грн
1500+ 22.61 грн
4500+ 21.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPSA70R600P7SAKMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPSA70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d9c5ab11389 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R600P7SAKMA1 - IPSA70R600 650V AND 700V COOLMOS N-CHAN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
859+29.1 грн
Мінімальне замовлення: 859
IPSA70R600P7SAKMA1 IPSA70R600P7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies 2358187442763059infineon-ipsa70r600p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній
IPSA70R600P7SAKMA1 IPSA70R600P7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPSA70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d9c5ab11389 Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
товар відсутній