IPSA70R360P7SAKMA1 Infineon Technologies
на замовлення 56475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 34.22 грн |
| 4500+ | 32.27 грн |
| 10500+ | 31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPSA70R360P7SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPSA70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59.5W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPSA70R360P7SAKMA1 за ціною від 28.18 грн до 89.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPSA70R360P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 56475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPSA70R360P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPSA70R360P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPSA70R360P7SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPSA70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPSA70R360P7SAKMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R360P7SAKMA1 - IPSA70R360 COOLMOS, 700V SUPER JUNCTION tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IPSA70R360P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPSA70R360P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPSA70R360P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPSA70R360P7SAKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7.5A Power dissipation: 59.5W Case: IPAK SL Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 16.4nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |