Продукція > INFINEON > IPSA70R2K0P7SAKMA1
IPSA70R2K0P7SAKMA1

IPSA70R2K0P7SAKMA1 INFINEON

2577433.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+29.08 грн
33+ 24 грн
100+ 19.94 грн
Мінімальне замовлення: 27
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPSA70R2K0P7SAKMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 17.6W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPSA70R2K0P7SAKMA1 за ціною від 29.41 грн до 60.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPSA70R2K0P7SAKMA1 IPSA70R2K0P7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPSA70R2K0P7S-DS-v02_01-EN-1275015.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.17 грн
10+ 52.33 грн
100+ 37.22 грн
500+ 29.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPSA70R2K0P7SAKMA1 IPSA70R2K0P7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies 2341453409144873infineon-ipsa70r2k0p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній
IPSA70R2K0P7SAKMA1 IPSA70R2K0P7SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPSA70R2K0P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d9329b21385 Description: MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 17.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-347
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
товар відсутній