IPS80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 58.35 грн |
| 8+ | 47.59 грн |
| 22+ | 39.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V.
Інші пропозиції IPS80R900P7AKMA1 за ціною від 34.23 грн до 100.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPS80R900P7AKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 45W Case: IPAK SL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPS80R900P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
на замовлення 1473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPS80R900P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPS80R900P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V |
товар відсутній |