на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.1 грн |
| 10+ | 97.34 грн |
| 100+ | 65.46 грн |
| 500+ | 36.75 грн |
| 1000+ | 31.04 грн |
| 1500+ | 26.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS80R2K0P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V, Power Dissipation (Max): 24W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3-342, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V.
Інші пропозиції IPS80R2K0P7AKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPS80R2K0P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 800V CoolMOS P7 Power Transistor |
товар відсутній |
||
 |
IPS80R2K0P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO251-3-342 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V |
товар відсутній |