IPS70R600P7SAKMA1 Infineon Technologies
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 18.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS70R600P7SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPS70R600P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43.1W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPS70R600P7SAKMA1 за ціною від 19.65 грн до 73.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPS70R600P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPS70R600P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPS70R600P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPS70R600P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPS70R600P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 140-149 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPS70R600P7SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPS70R600P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 43.1W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPS70R600P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IPS70R600P7SAKMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IPS70R600P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товар відсутній |