IPS65R950C6AKMA1 Infineon Technologies
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 80.66 грн |
| 10+ | 69.4 грн |
| 100+ | 54.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS65R950C6AKMA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; IPAK SL, Mounting: THT, Case: IPAK SL, Power dissipation: 37W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™, Drain current: 4.5A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 650V, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.95Ω, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPS65R950C6AKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPS65R950C6AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET N-Ch 700V 4.5A IPAK-3 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
IPS65R950C6AKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; IPAK SL Mounting: THT Case: IPAK SL Power dissipation: 37W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 4.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.95Ω Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IPS65R950C6AKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; IPAK SL Mounting: THT Case: IPAK SL Power dissipation: 37W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 4.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.95Ω Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |