Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPS65R650CEAKMA1
IPS65R650CEAKMA1

IPS65R650CEAKMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPS65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539da993114571 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
657+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 657
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPS65R650CEAKMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPS65R650CEAKMA1 за ціною від 50.68 грн до 102.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPS65R650CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPS65R650CE-DS-v02_00-EN-1731976.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.5 грн
10+ 91.34 грн
100+ 61.36 грн
500+ 50.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPS65R650CEAKMA1 IPS65R650CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPS65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539da993114571 Description: MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товар відсутній