IPS60R360PFD7SAKMA1 Infineon
Виробник: InfineonMosfet, N-Ch, 600V, 10A IPS60R360PFD7SAKMA1 IPS60R360PFD7S TIPS60r360pfd7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 48.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS60R360PFD7SAKMA1 Infineon
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPS60R360PFD7SAKMA1 за ціною від 29.55 грн до 87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPS60R360PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPS60R360PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP003965460 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
IPS60R360PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPS60R360PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPS60R360PFD7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V |
товар відсутній |