на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1158.66 грн |
10+ | 1006.32 грн |
25+ | 851.16 грн |
50+ | 804.07 грн |
100+ | 756.98 грн |
250+ | 733.08 грн |
500+ | 685.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPQC60R017S7XTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V.
Інші пропозиції IPQC60R017S7XTMA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IPQC60R017S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 22-Pin HDSOP EP T/R |
товар відсутній |
||
IPQC60R017S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V |
товар відсутній |
||
IPQC60R017S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V |
товар відсутній |