Продукція > INFINEON > IPP80R360P7XKSA1
IPP80R360P7XKSA1

IPP80R360P7XKSA1 INFINEON

2327428.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 84W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.31ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+179.81 грн
10+ 161.83 грн
25+ 147.76 грн
100+ 124.14 грн
500+ 97.17 грн
1000+ 95.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP80R360P7XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPP80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 84W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 84W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.31ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPP80R360P7XKSA1 за ціною від 145.92 грн до 240.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP80R360P7XKSA1 IPP80R360P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP80R360P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 84W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.14 грн
3+ 164.79 грн
6+ 153.9 грн
10+ 148.82 грн
16+ 145.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP80R360P7XKSA1 IPP80R360P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP80R360P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 84W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+240.17 грн
3+ 205.35 грн
6+ 184.68 грн
10+ 178.58 грн
16+ 175.1 грн
50+ 168.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP80R360P7XKSA1 IPP80R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 2767501979750146infineon-ipp80r360p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b42.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP80R360P7XKSA1 IPP80R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b42ac7c083f53 Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
товар відсутній
IPP80R360P7XKSA1 IPP80R360P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP80R360P7_DS_v02_01_EN-1732009.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
товар відсутній