![IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4843/448_TO-220-3.jpg)
IPP80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPP80R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c200b9d5d467c](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 48280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
480+ | 44.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP80R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPP80R1K2P7XKSA1 за ціною від 35.92 грн до 104.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP80R1K2P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.1A Power dissipation: 37W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP80R1K2P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP80R1K2P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.1A Power dissipation: 37W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 383 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP80R1K2P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP80R1K2P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IPP80R1K2P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |