на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 84.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 137W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPP80P03P4L04AKSA2 за ціною від 86.42 грн до 224.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP80P03P4L04AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP80P03P4L04AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|