![IPP80N08S2L07AKSA1 IPP80N08S2L07AKSA1](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO220-40.jpg)
IPP80N08S2L07AKSA1 INFINEON
![INFNS09214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - IPP80N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 394.23 грн |
10+ | 354.02 грн |
100+ | 290.15 грн |
500+ | 229.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP80N08S2L07AKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP80N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75, Dauer-Drainstrom Id: 80, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: OptiMOS, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IPP80N08S2L07AKSA1 за ціною від 219.99 грн до 410 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP80N08S2L07AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPP80N08S2L07AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IPP80N08S2L07AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V |
товар відсутній |