Продукція > INFINEON > IPP80N08S2L07AKSA1
IPP80N08S2L07AKSA1

IPP80N08S2L07AKSA1 INFINEON


INFNS09214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+394.23 грн
10+ 354.02 грн
100+ 290.15 грн
500+ 229.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP80N08S2L07AKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPP80N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75, Dauer-Drainstrom Id: 80, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: OptiMOS, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IPP80N08S2L07AKSA1 за ціною від 219.99 грн до 410 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP80N08S2L07AKSA1 IPP80N08S2L07AKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B80N08S2L_07_GREEN-DS-v01_01-en-1731843.pdf MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+410 грн
10+ 362.92 грн
100+ 258.65 грн
500+ 219.99 грн
IPP80N08S2L07AKSA1 IPP80N08S2L07AKSA1 Виробник : Infineon Technologies 6369ipp_b80n08s2l-07_green.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c9000.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IPP80N08S2L07AKSA1 IPP80N08S2L07AKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B80N08S2L_07_GREEN-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426e2333ae3&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товар відсутній