IPP80N08S2L07 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 330.77 грн |
3+ | 277.01 грн |
5+ | 205.74 грн |
12+ | 194.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP80N08S2L07 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 300W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 80A, Power dissipation: 300W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.8mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 183nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції IPP80N08S2L07 за ціною від 186.22 грн до 411.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPP80N08S2L-07 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS |
на замовлення 474 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
|