![IPP80N08S2L07 IPP80N08S2L07](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
IPP80N08S2L07 INFINEON TECHNOLOGIES
![IPP80N08S2L07.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 329.58 грн |
3+ | 276.02 грн |
5+ | 205 грн |
12+ | 194.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP80N08S2L07 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 300W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 80A, Power dissipation: 300W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.8mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 183nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції IPP80N08S2L07 за ціною від 185.55 грн до 410 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP80N08S2L-07 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 474 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
|