![IPP80N06S2L07AKSA2 IPP80N06S2L07AKSA2](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3735/MFG_MC78M05BTG.jpg)
IPP80N06S2L07AKSA2 Infineon Technologies
![INFNS09574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 227.33 грн |
50+ | 173.49 грн |
100+ | 148.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP80N06S2L07AKSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPP80N06S2L07AKSA2 за ціною від 128.62 грн до 293.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP80N06S2L07AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP80N06S2L07AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPP80N06S2L07AKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 210W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 210W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPP80N06S2L07AKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 210W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 210W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |