![IPP80N06S209AKSA2 IPP80N06S209AKSA2](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO220-40.jpg)
IPP80N06S209AKSA2 INFINEON
![2354676.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - IPP80N06S209AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0076 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 190
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 190
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 266.5 грн |
10+ | 212.88 грн |
100+ | 171.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP80N06S209AKSA2 INFINEON
Description: INFINEON - IPP80N06S209AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0076 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, Dauer-Drainstrom Id: 80, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 190, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 190, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: OptiMOS, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IPP80N06S209AKSA2 за ціною від 106.83 грн до 268.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP80N06S209AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IPP80N06S209AKSA2 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
IPP80N06S209AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPP80N06S209AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 25 V |
товар відсутній |