IPP80N04S403AKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP80N04S403AKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPP80N04S403AKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP80N04S403AKSA1 | Виробник : Infineon |
 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IPP80N04S403AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V |
товар відсутній |