IPP65R190CFDXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 161.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R190CFDXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R190CFDXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 151W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP65R190CFDXKSA2 за ціною від 110.88 грн до 305.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R190CFDXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V |
на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP65R190CFDXKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R190CFDXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 151W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPP65R190CFDXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
650V Power Transistor |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
IPP65R190CFDXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPP65R190CFDXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
товар відсутній |