IPP65R125C7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 131.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R125C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP65R125C7XKSA1 за ціною від 120.58 грн до 370.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 95500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 7419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 7416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 101W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Power dissipation: 101W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IPP65R125C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 101W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Power dissipation: 101W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |