![IPP65R110CFDXKSA2 IPP65R110CFDXKSA2](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4843/448_TO-220-3.jpg)
IPP65R110CFDXKSA2 Infineon Technologies
![Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 464.39 грн |
10+ | 375.61 грн |
100+ | 303.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R110CFDXKSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP65R110CFDXKSA2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP65R110CFDXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPP65R110CFDXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |