IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 195.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPP65R110CFD7XKSA1 за ціною від 130.73 грн до 366.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R110CFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPP65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP65R110CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP65R110CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP65R110CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 5452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP65R110CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP65R110CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPP65R110CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005413367 |
товар відсутній |